思迈芯碳化硅金属氧化物半导体芯片（SIC MOSFET）具备高温工作能力，相比于传统硅材料，可在更高温度下工作，具有更高热导率和更低热膨胀系数，在高电压应用中更加可靠。载流子迁移速度更快，使其具高频特性，适用于高速开关和功率放大器等应用。而更低的开关损耗，使其适用于高效率的电源和驱动器。由于碳化硅的热稳定性和电学特性，SIC MOSFET具有更长的寿命，降低了维护成本。

目前思迈芯SIC MOSFET产品线有以下规格：