思迈芯IGBT产品能够承受高电压和高电流,同时在低电压下有较低的导通电阻,这使得在大功率应用中具有广泛的应用前景。产品结合了MOSFET和BJT的优点,具有低开关损耗,能够在高频率下工作,从而实现更高的效率和更小的尺寸。采用高质量的材料和先进的生产工艺,保证质量和稳定性。其具有抗电磁干扰和温度稳定性的优势,使得IGBT产品在复杂的工作环境中表现良好。
目前思迈芯IGBT产品线有以下规格 :
650V | MSG75N65C |
1200V | MSG40N120C |
• 高电压和高电流承载能力、抗电磁干扰和温度稳定性
• 低导通电阻和高输入电阻,提供更优控制性能
• 低开关损耗,能够在高频率下工作,实现更高的效率和更小的尺寸
• 低导通电阻和高输入电阻,提供更优控制性能
• 低开关损耗,能够在高频率下工作,实现更高的效率和更小的尺寸